GaN駆動回路

~研究開発・新事業企画に役立つ特許レポート~

GaN駆動回路

商品番号 : SMB-75778

出版社ネオテクノロジー
出版年月2025年3月
価格タイプ税込価格
価格198,000円
種別日本語調査報告書

ネオテクノロジーは、GaNパワー半導体の駆動回路に着目し、最新の情報特許から技術動向を調査した特許レポート「ダイナミックマップ」を発刊しました。特許情報は、ビジネスや産業、技術の動きが表れている情報源です。

次世代パワー半導体デバイスとして期待されているのが窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスです。現在主流のシリコン(Si)パワー半導体デバイスに比べて、高耐圧、高速スイッチング・高温動作が可能です。一方、ノーマリーオンという特性やゲート耐電圧が低いなどの課題もあり、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスの性能を最大限に引き出すためには、その駆動回路が重要です。本レポートでは、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスの駆動回路に関する最近の特許情報を調査しました。

本レポートでは、発明の特徴が窒化ガリウム(Gan)パワー半導体デバイスの駆動回路である技術としました。なお、窒化ガリウム(Gan)パワー半導体デバイスに適用可能であって、他のパワー半導体デバイスにも適用できる駆動回路技術も調査対象技術としました。

技術と企業の全体像を俯瞰できるダイナミックマップ

本ダイナミックマップは、タイトルテーマ技術に関する特許情報の調査結果を、技術分類ごとに分けた技術側と出願上位10社までの企業側の2軸から閲覧することができる電子版特許調査報告書です。『技術側』では出願件数推移グラフや技術の企業シェア等を掲載し、『企業側』では出願内容を技術分類ごとに分けたレーダーチャートや発明者リスト、共同出願人リスト等を掲載しています。

特許調査、技術動向把握、事業経営企画のための特許調査資料としてご利用ください。

目次/技術分類

◇高速化

◇誤点弧

◇スイッチング損失

◇過電圧保護

◇過電流保護

◇ノイズ対策

◇ノーマリーオフ化

◇その他

◇参考情報